專題二、未來芯片方向1：基于低維材料的存算一體電路和芯片設(shè)計方法研究研究目標(biāo)：構(gòu)建支持大規(guī)模低維材料器件電路仿真的緊湊模型,，研究內(nèi)容：研究支持低維材料器件大規(guī)模電路高精度高速仿真的緊湊級模型選擇,、參數(shù)提取和模型優(yōu)化方法，研究內(nèi)容：研究邊緣儲備池計算的全光深度架構(gòu)及集成設(shè)計方法,，方向6：高精度光子高速張量卷積計算研究研究目標(biāo)：發(fā)展高精度光子高速張量卷積計算理論方法,，突破片上高精度調(diào)制、高線性光放大,、光子張量卷積計算芯片集成等關(guān)鍵技術(shù),，研究高精度光子高速張量卷積計算理論方法與架構(gòu)設(shè)計，研究內(nèi)容：開發(fā)基于神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)與納米光子學(xué)的神經(jīng)形態(tài)學(xué)光信息存儲和處理技術(shù),，方向9：高速無損光交換架構(gòu)與動態(tài)重構(gòu)機(jī)制研究研究目標(biāo)：發(fā)展大容差異質(zhì)集成器件設(shè)計技術(shù),、高性能異質(zhì)集成工藝、大規(guī)模光交換架構(gòu)設(shè)計方法,，研究大容差異質(zhì)集成光開關(guān)器件設(shè)計原理,、多材料界面間黏結(jié)力高效大范圍調(diào)控機(jī)理、大規(guī)模光交換架構(gòu)設(shè)計,、光電融合低功耗光交換方法等關(guān)鍵科學(xué)問題,，方向10：薄膜鈮酸鋰非線性光子學(xué)研究研究目標(biāo)：探索薄膜鈮酸鋰片上重要微納結(jié)構(gòu)及器件制備技術(shù)路線及工藝方案，研究內(nèi)容：針對光計算,、光互連等領(lǐng)域?qū)庾蛹尚酒碌膽?yīng)用需求,，方向2：鉿基薄膜極化機(jī)制和k值提升研究研究目標(biāo)：發(fā)展鉿基高k介質(zhì)薄膜的k值和耐久性提升方法,，方向4：基于ALD工藝的鉿基鐵電材料表征與器件性能提升研究研究目標(biāo)：發(fā)展鉿基鐵電薄膜和器件的微觀缺陷/結(jié)構(gòu)動態(tài)表征方法，方向2：面向先進(jìn)硅基器件的人工智能建模及參數(shù)優(yōu)化研究研究目標(biāo)：研究基于機(jī)器學(xué)習(xí)的快速精準(zhǔn)建模方法,，方向2：三維集成芯片布局布線EDA算法研究研究目標(biāo)：面向三維集成芯片的跨尺度物理設(shè)計,。