位于東莞松山湖的中國散裂中子源探測(cè)器團(tuán)隊(duì)成功制備出目前國際上用于中子探測(cè)的最大面積的碳化硼薄膜，中子探測(cè)器關(guān)鍵技術(shù)在東莞實(shí)現(xiàn)國產(chǎn)化，中國散裂中子源(CSNS)探測(cè)器團(tuán)隊(duì)利用自主研制的磁控濺射大面積鍍硼專用裝置，成功制備出滿足中子探測(cè)器需求的高性能大面積碳化硼薄膜樣品,，是目前國際上用于中子探測(cè)的最大面積的碳化硼薄膜，而中子探測(cè)器就像這個(gè)大科學(xué)裝置的“眼睛”,，▲自主研制的磁控濺射大面積鍍硼專用裝置基于硼轉(zhuǎn)換的中子探測(cè)器因其優(yōu)異的性能已成為當(dāng)前國際上研究的熱點(diǎn)，如何制備出高性能中子轉(zhuǎn)換碳化硼薄膜是其中最核心的技術(shù),，開始研制一臺(tái)磁控濺射大面積鍍硼專用裝置,，鍍膜厚度范圍為0.01~5微米，▲高性能大面積碳化硼薄膜樣品經(jīng)過多年的技術(shù)攻關(guān)和工藝試制,，利用該裝置制備了多種規(guī)格的碳化硼薄膜,，并成功應(yīng)用于CSNS多臺(tái)中子譜儀上的陶瓷GEM中子探測(cè)器，實(shí)現(xiàn)了中子探測(cè)器關(guān)鍵技術(shù)和器件的國產(chǎn)化,，為接下來研制更大面積的高性能新型中子探測(cè)器提供了強(qiáng)有力的技術(shù)支撐,。